China desenvolve tecnologia própria para contornar bloqueio de máquinas da ASML

A China avança em litografia UVE com nova tecnologia própria.

A litografia por ultravioleta extremo (UVE) é considerada o principal desafio da indústria de semicondutores. Atualmente, apenas a ASML, uma empresa neerlandesa, fabrica as máquinas necessárias para a produção de circuitos integrados com tecnologia inferior a 7 nm. Desde 2019, a venda de seus modelos mais avançados para a China está proibida devido à pressão dos Estados Unidos. Cada equipamento tem um custo que varia entre 200 milhões e 400 milhões de dólares, e até o momento, nenhum cliente chinês conseguiu adquiri-los.

Recentemente, uma equipe da Academia Chinesa de Ciências, localizada no Instituto de Óptica e Mecânica de Precisão de Xangai, desenvolveu a primeira plataforma nacional de fonte de luz UVE baseada em laser-plasma. O projeto é liderado por Lin Nan, um ex-cientista da ASML que retornou à China em 2021 através de um programa estatal de atração de talentos. A equipe optou por um método que evita o uso das mais de 2 mil patentes da ASML.

Qiu Yanfang, uma colunista especializada em semicondutores, destacou que essa estratégia de desvio de patentes não é apenas uma manobra legal, mas sim um verdadeiro avanço em engenharia. Sua análise, publicada recentemente, ressalta o progresso da China em sua busca por independência tecnológica na litografia.

O caminho mais longo até a produção em massa

A técnica desenvolvida pela equipe de Lin Nan difere da ASML. Enquanto a ASML utiliza lasers de dióxido de carbono para gerar luz UVE, Lin e sua equipe empregam um laser de estado sólido de 1 mícron que atinge um alvo de estanho sólido. Em um artigo publicado em dezembro de 2024, Lin argumentou que essa nova fonte de luz poderia substituir a tecnologia atual devido ao seu tamanho compacto e maior eficiência.

No entanto, Qiu Yanfang expressou cautela em relação ao entusiasmo inicial. Ela observa que, a curto prazo, essa nova fonte de luz ainda não tem potencial para desafiar a liderança da ASML, uma vez que a indústria global de semicondutores já se estabeleceu em torno do laser de dióxido de carbono. Mesmo que a tecnologia chinesa apresente bons resultados em laboratório, ainda há um longo caminho até a produção em larga escala. O verdadeiro valor da conquista de Lin reside na formação de uma equipe de pesquisa capaz de atuar desde a teoria até a prática.

Além disso, a China está desenvolvendo outra iniciativa sigilosa. Recentemente, foi revelado que um protótipo funcional de uma máquina de litografia UVE foi montado em um laboratório de alta segurança em Shenzhen, embora ainda não consiga produzir circuitos integrados funcionais.

A Huawei está à frente dessa iniciativa, que envolve milhares de engenheiros. O Instituto de Tecnologia de Harbin cuida da fonte de luz, enquanto o Instituto de Óptica de Changchun é responsável pelos sistemas ópticos. A SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) realiza a integração final, com a SiCarrier, uma empresa apoiada pelo governo de Shenzhen, também desempenhando um papel fundamental no projeto. O objetivo do governo chinês é produzir chips com essa tecnologia até 2028, embora muitos analistas considerem 2030 uma previsão mais realista.

Atualmente, nenhum protótipo chinês conseguiu fabricar circuitos integrados comerciais com uma máquina própria de litografia UVE. As dúvidas sobre a velocidade desse avanço foram reavivadas após o secretário de Comércio dos EUA levantar preocupações sobre a possibilidade de que uma das máquinas UVE da ASML tenha chegado à China por meios clandestinos. A ASML, no entanto, negou categoricamente essa hipótese, afirmando que nenhuma de suas máquinas está em território chinês.

Ainda que a China não possua uma máquina UVE própria, o trabalho de Lin Nan já estabeleceu um caminho viável para a construção dessa tecnologia no futuro.