China lança dois projetos para desafiar a liderança dos EUA na indústria de chips
A China intensifica esforços para se tornar autossuficiente na produção de semicondutores de ponta.
A China está em uma corrida contra o tempo para desenvolver sua própria tecnologia de fabricação de semicondutores. A necessidade de chips avançados, totalmente fabricados no país, é crucial para sua competitividade militar, o avanço de inteligência artificial e a força de suas empresas de tecnologia.
Para isso, o governo chinês tem investido pesadamente, oferecendo subsídios generosos a empresas que desenvolvem equipamentos de fotolitografia de ponta. Entre essas empresas estão SiCarrier, Shanghai Yuliangsheng, Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), Huawei e SMIC. O objetivo é claro: garantir a capacidade de produção de semicondutores de alta tecnologia até o final da década.
A máquina UVE híbrida de Shenzhen
Recentemente, surgiram informações sobre um projeto inovador da Huawei, que envolve a criação de um equipamento de fotolitografia de ultravioleta extremo (UVE) totalmente desenvolvido na China. Esse projeto visa permitir que fabricantes locais produzam chips altamente integrados, eliminando a dependência de equipamentos da ASML, uma gigante neerlandesa do setor.
Diferentemente das máquinas UVE da ASML, o protótipo da Huawei utiliza uma fonte de luz ultravioleta do tipo LDP (descarga induzida por laser), que promete gerar luz UVE com um comprimento de onda de 13,5 nm. Apesar de ser menos potente que a tecnologia LPP (plasma produzido por laser), essa inovação pode permitir que a China entre em competição direta com a ASML.
O projeto também incorpora soluções desenvolvidas por engenharia reversa de equipamentos existentes, combinando inovações de centros de pesquisa chineses. O Instituto de Óptica, Mecânica e Física de Changchun, por exemplo, está capacitado para fabricar espelhos com desempenho semelhante aos da ZEISS, utilizados pela ASML.
A Universidade Tsinghua, por sua vez, está avançando em pesquisas de fotorresistentes específicos para o comprimento de onda de 13,5 nm. A empresa Xuzhou B&C Chemical planeja iniciar a produção em larga escala de fotorresistentes avançados nos próximos cinco anos. Estima-se que os primeiros circuitos integrados de teste fabricados pela nova máquina deverão ser concluídos até 2028, com a produção em larga escala prevista para 2030.
O projeto SSMB-UVE da Universidade Tsinghua segue avançando
Outro projeto significativo é o SSMB-UVE, desenvolvido pela Universidade Tsinghua e pela Academia Chinesa de Ciências. Este projeto utiliza um síncrotron, um tipo de acelerador de partículas, para gerar radiação ultravioleta essencial para a fabricação de chips avançados.
O SSMB-UVE, que significa microagrupamento em estado estacionário para a geração de radiação UVE, visa criar uma fonte de luz UVE de alta potência. O plano é estabelecer fábricas de semicondutores ao redor do síncrotron, que fornecerá a radiação necessária para a produção, similar a como uma usina elétrica fornece eletricidade.
Embora o projeto já tenha avançado nas fases de verificação dos feixes de partículas, ainda não há indicações de que o síncrotron poderá ser utilizado para a produção em larga escala de circuitos integrados a curto prazo.
Espera-se que a máquina UVE híbrida de Shenzhen esteja pronta antes do SSMB-UVE, mas o impacto deste último poderá ser muito mais significativo, pois visa fornecer à China uma fonte de radiação UVE de próxima geração.
